A Samsung usou o evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026 para mostrar até onde pretende levar a memória dos próximos computadores de inteligência artificial. A estrela da apresentação foi a zHBM, uma nova geração de memória de alta largura de banda que, segundo a fabricante, pode entregar desempenho até oito vezes maior que o da HBM5 — padrão que sequer chegou ao mercado ainda.
O truque por trás desse salto está na forma como os chips são organizados. Em vez de posicionar a memória ao lado do processador, como acontece hoje, a zHBM empilha os módulos verticalmente em cima do chip principal. Essa proximidade reduz drasticamente a distância que os dados precisam percorrer, o que derruba a latência, melhora a eficiência energética e, de quebra, aumenta a densidade em até dez vezes. A Samsung afirma ainda que a arquitetura corta a resistência térmica em mais de 50%, um ponto crítico quando se empilha silício sobre silício.
A zHBM não veio sozinha. A empresa também apresentou a zNAND-O, uma memória NAND voltada à chamada Edge AI — o processamento de IA feito localmente, dentro do próprio dispositivo. Com empilhamento vertical de 4 ou 8 camadas e latência baixíssima, ela é pensada para veículos autônomos, robôs e sistemas de visão computacional, cenários em que decidir em tempo real é questão de segurança. Por fim, a Samsung confirmou a décima geração da sua memória flash, a V10 BV-NAND, a primeira da indústria a ultrapassar a marca de 400 camadas, com densidade 58% maior que a geração anterior.
Para o leitor brasileiro, é importante separar o que é promessa de longo prazo do que está logo ali. A zHBM e a zNAND-O ainda não têm data e são voltadas a data centers e sistemas industriais — não é o tipo de peça que se compra para o PC de casa. Já a V10, que deve chegar em breve, tende a se traduzir em SSDs mais rápidos e capazes ao longo dos próximos anos. Se a ideia é acelerar o computador agora, os SSDs NVMe da própria Samsung já disponíveis por aqui são o caminho mais direto para sentir esse ganho de velocidade.
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