A guerra das memórias ganhou mais um capítulo importante. A SK Hynix concluiu a verificação de sua NAND Flash de 375 camadas e pretende iniciar a produção em massa ainda em 2026. O detalhe curioso é que o produto chegou a ser planejado como uma memória de “400 camadas”, mas precisou ser redimensionado para 375 por causa de limitações encontradas no empilhamento — um lembrete de que, mesmo para gigantes do setor, espremer mais andares nesses chips é um desafio de engenharia que esbarra na física.
O ponto técnico mais relevante, porém, está no material que conduz a eletricidade dentro do chip. Até agora, a indústria vinha usando tungstênio, mas ele tem um problema: à medida que as conexões internas ficam mais estreitas para acomodar mais camadas, o metal deixa de manter uma resistência elétrica adequada. A solução da SK Hynix é trocá-lo de vez pelo molibdênio, que se sai melhor nessa escala miniaturizada — e que, não por acaso, já vinha sendo adotado pela rival Samsung.
Essa mudança não é um ajuste pontual: é o que vai destravar o roadmap das próximas gerações. A SK Hynix mira saltos para 480 e 604 camadas nas etapas seguintes, todos dependentes dessa migração para o molibdênio. Do outro lado, a Samsung trabalha para otimizar sua V-NAND de 400 camadas em 2026 e estuda técnicas de empilhamento duplo que, no horizonte, miram a casa das 1.000 camadas. A disputa é tão estratégica que a demanda projetada por molibdênio no setor deve crescer de poucas toneladas hoje para dezenas de toneladas até o fim da década.
Para o consumidor brasileiro, esse tipo de avanço costuma soar distante, mas tem efeito concreto: mais camadas significam mais armazenamento no mesmo pedaço de silício, o que ajuda a sustentar SSDs maiores e, com o tempo, mais baratos. O ganho não aparece no preço da prateleira de um dia para o outro — ainda mais num momento de preços pressionados de memória —, mas é exatamente esse avanço de densidade que mantém viva a promessa de armazenamento mais acessível no médio prazo, enquanto SK Hynix e Samsung trocam socos para liderar a próxima geração de chips.
